型号:IDT70V7319S200BC | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:256-LBGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 双端口,同步 |
存储容量 | 4.5M(256K x 18) |
速度 | 200MHz |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 256-LBGA |
供应商器件封装 | 256-CABGA(17x17) |
包装 | 托盘 |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | 蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527(高端电子元件渠道商)/83950895/83950890 |
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HECC GROUP CO,LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890 |
深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱先生0755-83211840 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
北京青山盛世电子技术有限公司 | 李小姐086-010-82610856 |
IDT70V7319S200BC相关型号
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固定式
Vishay Dale
INDUCTOR POWER 1.0UH 9.0A SMD
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电容器
Nichicon
径向,Can - 卡入式
CAP ALUM 270UF 180V 20% SNAP
- GRM32A7U2J182JW31D
陶瓷
Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
CAP CER 1800PF 630V 5% U2J 1210
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存储器
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208-LFBGA
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1812(4532 公制)
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1210(3225 公制)
CAP CER 2200PF 630V 5% U2J 1210
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3AB,3AG,1/4" x 1-1/4"
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固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
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2-SMD,无引线,裸露焊盘
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陶瓷
Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
CAP CER 100PF 2KV 5% U2J 1210
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Vishay Dale
1812(4532 公制)
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Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
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3AB,3AG,1/4" x 1-1/4"
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INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
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过时/停产零件编号
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Vishay Dale
非标准
INDUCTOR POWER 4700UH .23A SMD
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陶瓷
Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
CAP CER 22UF 10V Y5V 1210
- IMC1812ES1R0K
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
- GSA06DTMH
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3AB,3AG,1/4" x 1-1/4"
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过时/停产零件编号
Freescale Semiconductor
KIT EVALUATION FOR DSP56F826
- GRM32CF51A226ZA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1210(3225 公制)
CAP CER 22UF 10V Y5V 1210
- IDT70V7519S133BFI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
208-LFBGA
IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA
- IMC1812ES270J
固定式
Vishay Dale
1812(4532 公制)
INDUCTOR WW 27UH 5% 1812
- GSA0T203
配件
Storm Interface
3AB,3AG,1/4" x 1-1/4"
KIT LEGEND SET A 0-9 ARROW 26PC